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InGaAs雪崩光电探测器
Description
InGaAs雪崩光电探测器
F-tone Networks提供雪崩光电探测器(APD)比带放大光电探测器（PIN）,同样带宽下具有更高的灵敏度和更低的噪声,因此很是适适用于低光功率应用,一般而言,雪崩光电二极管利用内部增益机制提高灵敏度 。在二极管上施加高反向偏压爆发强电场 。当一个入射光子爆发一个电子空穴对时,电场使电子加速,导致由碰撞电离爆发次级电子 。所爆发的电子雪崩将爆发几百倍的增益,用乘法因子M体现,M因子与反向偏压和温度有关 。M因子随温度降低而增大,随温度升高而减小 。因此我们所有雪崩光电探测器都提供温度赔偿,无需外置温控 。目前我们只提供光纤耦合的雪崩光电探测器(APD),这些探测器的荟萃笼罩从可见到近红外(1100-1700 nm)的感应规模；请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器简直切探测规模 。
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声光调制器
声光调制器
F-tone Networks提供的声光调制器,是一款高消光比的强度调制器,主要利用声光效应对输入光信号进行强度调制,具有上移频或下移频特性 。调制消光比高达60dB,多种频率、波长可选,蒙受功率高达W级 。主要用于&OTDR、B OTDR、风场测速、激光雷达、激光测距、MOPA光纤激光器系统 。
Si带放大光电探测器
Si带放大光电探测器
F-tone Networks提供一系列光纤耦合、高速、高带宽的PIN探测器,内部集成放大电路,具有极高增益带宽积 。设备可连接到FC/PC、APD输入端口的单�；蚨嗄９庀�,这些探测器的荟萃笼罩从可见到近红外(400-1100 nm)的感应规模；我们探测器都接纳跨阻放大结构,使得其具有低噪声,高灵敏度等特点,高增益下带宽最大可抵达250MHz 。请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器简直切探测规模 。
InGaAs带放大光电探测器
InGaAs带放大光电探测器
F-tone Networks提供一系列光纤耦合、高速、高带宽的PIN探测器,内部集成放大电路,具有极高增益带宽积 。设备可连接到FC/PC、APD输入端口的单�；蚨嗄９庀�,这些探测器的荟萃笼罩从可见到近红外(1100-1700 nm)的感应规模；我们探测器都接纳跨阻放大结构,使得其具有低噪声,高灵敏度等特点,高增益下带宽最大可抵达250MHz 。请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器简直切探测规模 。
InGaAs带放大平衡光电探测器
InGaAs带放大平衡光电探测器
F-tone Networks生产这些平衡光电探测器相当于平衡接收器,通过两个光学输入信号相减消除共模噪声,这样可以从滋扰噪声本底中提取时减小光信号路径中的变革 。探测器包括两个平衡的光电二极管(PIN)和一个超低噪声、高速跨阻放大器 。两个光电二极管相互匹配,具有极佳的共模抑制比(CMRR),从而更好地降低噪声 。请参靠下表中各型号指标了解更过信息 。所有探测器都都具有3个母头SMA电连接端口,用于减少噪声,除跨阻放大器的RF OUT端口外,Monitor+和Monitor-端口可以单独监控每个光电二极管的响应 。
Si带放大平衡光电探测器
Si带放大平衡光电探测器
高速光电探测器接纳可靠高速电路设计,并应用高灵敏度光电二极管和一个超低噪声的互阻放大器,可以有效地减小电信号噪声和畸变 。本系列探测器提供多种转换增益可选,满足客户的差别需求 。种种差别增益的高速放大光电探测器配有一个SMA-K监测端口,监测互阻放大器上OUTPUT端电信号响应 。该类探测器主要用于光谱检测、气体检测、模拟光信号接收、脉冲光探测和光纤传感丈量等领域 。
Si雪崩光电探测器
Si雪崩光电探测器
F-tone Networks提供雪崩光电探测器(APD)比带放大光电探测器（PIN）,同样带宽下具有更高的灵敏度和更低的噪声,因此很是适适用于低光功率应用,一般而言,雪崩光电二极管利用内部增益机制提高灵敏度 。在二极管上施加高反向偏压爆发强电场 。当一个入射光子爆发一个电子空穴对时,电场使电子加速,导致由碰撞电离爆发次级电子 。所爆发的电子雪崩将爆发几百倍的增益,用乘法因子M体现,M因子与反向偏压和温度有关 。M因子随温度降低而增大,随温度升高而减小 。因此我们所有雪崩光电探测器都提供温度赔偿,无需外置温控 。目前我们只提供光纤耦合的雪崩光电探测器(APD),这些探测器的荟萃笼罩从可见到近红外(400-1100 nm)的感应规模；请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器简直切探测规模 。