其它产品
高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W）
Description
高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W）
大宝娱乐研爆发产:高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W） , 是一家专业的高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W） 厂家,具有优质的高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W） 品质,有很好的高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W） 价格,高速 InGaAs 光电探测器（≥0.80 A/W） 海量交付给国防、军工、航空、航天、武器、舰船、雷达、电子、核工业、军事、电力、铁路、医疗、交通、通信、电信、政府、国防科技工业系统内大专院校及科研院所
FT-49-ACPD1827SMAFA InGaAs 光电探测器集成内偏置电路,接纳 DC 耦合、SMA 输出接口、气密封装结构。
产品具有高饱和特性,可在高速光通信、微波光子链路、高速测试丈量等系统应用。
■ 主要性能指标(TC=22±3℃)
■ 绝对最大额定值
■ 质量可靠性包管
―产品执行 GJB 8120-2013《半导体光电� ？橥ㄓ霉娣丁废喙匾�。
■ 典范特性曲线
■ 封装外形、尺寸及引脚界说（单位：mm）
Important Notice
Related Products
Si带放大平衡光电探测器
Si带放大平衡光电探测器
高速光电探测器接纳可靠高速电路设计,并应用高灵敏度光电二极管和一个超低噪声的互阻放大器,可以有效地减小电信号噪声和畸变。本系列探测器提供多种转换增益可选,满足客户的差别需求。种种差别增益的高速放大光电探测器配有一个SMA-K监测端口,监测互阻放大器上OUTPUT端电信号响应。该类探测器主要用于光谱检测、气体检测、模拟光信号接收、脉冲光探测和光纤传感丈量等领域。
Si雪崩光电探测器
Si雪崩光电探测器
F-tone Networks提供雪崩光电探测器(APD)比带放大光电探测器（PIN）,同样带宽下具有更高的灵敏度和更低的噪声,因此很是适适用于低光功率应用,一般而言,雪崩光电二极管利用内部增益机制提高灵敏度。在二极管上施加高反向偏压爆发强电场。当一个入射光子爆发一个电子空穴对时,电场使电子加速,导致由碰撞电离爆发次级电子。所爆发的电子雪崩将爆发几百倍的增益,用乘法因子M体现,M因子与反向偏压和温度有关。M因子随温度降低而增大,随温度升高而减小。因此我们所有雪崩光电探测器都提供温度赔偿,无需外置温控。目前我们只提供光纤耦合的雪崩光电探测器(APD),这些探测器的荟萃笼罩从可见到近红外(400-1100 nm)的感应规模；请参考下表我们每个光电二极管指标,了解每个探测器简直切探测规模。
CWDM 波分复用器
CWDM 波分复用器
Features
● Low insertion loss
● High channel isolation
● Low polarization dependent loss
● Exceptional reliability and stability
高速 InGaAs 光电探测器（DC可�。�
高速 InGaAs 光电探测器（DC可�。�
FT-49-ACPD1820SMAFA型高速InGaAs 光电探测器集成内偏置电路，接纳 DC 耦合、SMA 输出接口、气密封装结构。
产品可在高速光通信、微波光子链路、高速测试丈量等系统应用。
高速 InGaAs 光电探测器（DC～40GHz）
高速 InGaAs 光电探测器（DC～40GHz）
FT-49-ACPD4021292FA型高速 InGaAs 光电探测器集成内偏置电路,接纳 DC 耦合、2.92 输出接口、气密封装结构。
产品具有高带宽特性,可在高速光通信、微波光子链路、高速测试丈量等系统应用。
高速 InGaAs 光电探测器（DC～18GHz）
高速 InGaAs 光电探测器（DC～18GHz）
FT-49-ACPD1825SMPFAInGaAs 光电探测器集成内偏置电路,接纳 DC 耦合、SMP 输出接口、气密封装结构。
产品具备小型化特性,可在高速光通信、微波光子链路、高速测试丈量等系统应用。